（2）SiGeEpi设备完成设想方案，进入样机制制阶段。2021年组建EPI设备研发团队，通过根本研究和采纳环节客户的手艺反馈，已构成自从学问产权及立异的预处置和外延反映腔的设想方案。目前公司EPI设备已进入样机设想、制制和调试阶段，以满脚客户先辈制程中SiGe外延发展工艺的电性和靠得住性需求。
公司ICP刻蚀设备曾经逐渐趋于成熟。Primonanova®ICP刻蚀产物曾经正在跨越15家客户的出产线多个ICP刻蚀工艺的验证。2021年3月，公司研发并推出的具有高输出率特点的双反映台ICP刻蚀设备PrimoTwin-Star®刻蚀设备，曾经正在国内领先的客户出产线上完成认证，并收到更多国内客户的订单。
（1）钨填充LPCVD设备取得阶段性进展。使用于金属互联的CVD钨制程设备能力已可以或许满脚客户工艺验证的需求，产物正取环节客户对接验证。基于金属钨LPCVD设备，公司正进一步开辟CVD和ALD设备。
鉴于公司刻蚀设备特别是ICP刻蚀21年订单大幅增加，且MOCVD设备订单也超预期增加，我们上调22-24年净利润至11.26/12.90/15.17亿元，维持“买入”评级。
公司发布2021年报，实现营收31.08亿元，同比增加37%；净利润10.11亿元，同比增加105%；扣非净利润3.24亿元，同比增加1291%；毛利率43.36%，较上年扩大5.69个百分点。
ICP刻蚀交付腔体数量超预期。21年产物付运腔体数量为491腔，同比增加66.4%。此中，CCP刻蚀机付运298腔，同比增加40%；ICP刻蚀机付运134腔，同比增加235%，取得冲破性进展。而对于MOCVD设备发卖，公司客岁新发布的MiniLEDMOCVD设备PrismoUniMax岁尾订单超100腔，到本年3月底订单累计已超180腔。
开辟GaN功率器件量产使用的MOCVD设备，（3）积极结构用于功率器件使用的第三代半导体设备市场。目前已交付国表里领先客户进行出产验证。将进一步丰硕公司的产物线。启动了使用于碳化硅功率器件外延出产设备开辟，
产物布局优化，盈利能力大幅提拔。客岁公用设备的毛利率添加4.88个百分点至42.20%，此中MOCVD设备的毛利率大幅提拔18.65个百分点至33.77%；刻蚀设备仍连结44.32%的较高程度。同时，盈利能力较高的刻蚀收入比沉，较客岁提拔7个百分点至64%，公司的收入布局较着改善。
把握科技前沿，IC工艺设备产物平台从薄膜图形化东西辐射到薄膜堆积和外延发展设备。具体包罗薄膜刻蚀：CCP、ICP、ALE，薄膜堆积：LPCVD、EPI、ALD；第三代半导体：硅基氮化镓及碳化硅功率器件公用的外延设备。
CCP等离子体刻蚀进入先辈的5纳米芯片出产线和下一代的试出产线纳米的刻蚀设备并完成正在先辈逻辑芯片出产厂家的评估，并实现发卖。完成3纳米刻蚀机Alpha原型机的设想、制制、测试及初步的工艺开辟和评估。
刻蚀设备高速成长，客岁总订单翻倍增加。公司21年实现营收同比增加37%，增速较前两年大幅提拔。此中刻蚀设备收入20.04亿元，占比64%，同比增加55%；MOCVD设备收入5.03亿元，占比36%，同比增加1.53%。公司21年新签定单金额同比增加90.5%达4元，保障2022年收入延续高增加趋向。